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NTD3817N-35G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9m Ω @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 702pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 34.5A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.029Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 16V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.2W Ta 25.9W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A Ta 34.5A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
Vgs (Max) | ±16V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 7.6A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 78A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 15 mJ |
Lead Free | Lead Free |
NTD3817N-35G Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTD3808N-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2783 |
NTD3808N-1G | Rochester Electronics, LLC | Transistors MOSFET simples | |
NTD3808N-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2699 |
NTD3808N-35G | Rochester Electronics, LLC | NTD3808N-35G | |
NTD3808NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 10000 |
NTD3813N-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2535 |
NTD3813N-1G | Rochester Electronics, LLC | Transistors MOSFET simples | |
NTD3813N-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2736 |
NTD3813NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 10275 |
NTD3813NT4G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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