NTGS3433T1G Spécifications techniques

MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case SOT-23-6
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.075Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -3.3A
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.35A Ta
Rise Time 20ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 100 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.35A
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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