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NTLJS3113PT1G Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 40MOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form C BEND
Current Rating -7.7A
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 700mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1329pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 17.5 ns
Continuous Drain Current (ID) -5.8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 23A
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series µCool™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.9W
Turn On Delay Time 6.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A Ta
Rise Time 17.5ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Height 750μm
Width 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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