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NVD6414ANT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 34A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 100W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A Tc
Rise Time 52ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 100W
Turn On Delay Time 11 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37m Ω @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 48 ns
Continuous Drain Current (ID) 32A
Drain-source On Resistance-Max 0.037Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 117A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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