NVD6416ANLT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 71W
Turn On Delay Time 7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74m Ω @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1nF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 19A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Resistance 74MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 71W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Tc
Rise Time 16ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 70A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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