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NVLJD4007NZTAG Spécifications techniques

MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 755mW
Number of Elements 2
Power Dissipation 755mW
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Rise Time 41ns
Fall Time (Typ) 72 ns
Continuous Drain Current (ID) 245mA
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ω @ 125mA, 4.5V
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
NVLJD4007NZTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 9053
NVLJD4007NZTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2633
NVLJD4007NZTBG ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays

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