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NVLJD4007NZTBG Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 0.245A 6-Pin WDFN T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 755mW
Number of Elements 2
Power Dissipation 755mW
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Rise Time 41ns
Fall Time (Typ) 72 ns
Continuous Drain Current (ID) 245mA
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ω @ 125mA, 4.5V
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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