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SP8M10FU6TB Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Base Part Number *M10
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Subcategory Other Transistors
Reach Compliance Code unknown
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A 4.5A
Rise Time 25ns
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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