SP8M10TB Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Current Rating 7A
Base Part Number *M10
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.037Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A 4.5A
Rise Time 25ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
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