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R1RW0416DSB-2LR#B0 Spécifications techniques

IC SRAM IBIS ASYNC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 12ns
Technology SRAM
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Mb (256K x 16)
Memory Format SRAM
Detailed Description SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 44-TSOP II
Package / Case 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 12ns
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R1RW0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics America Mémoire 0
R1RW0416DSB-2PI#B0 Renesas Electronics America Mémoire 0
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R1RW0416DSB-2LR#B0 fabricants de marques: Renesas Electronics America, Bonchip action, R1RW0416DSB-2LR#B0 prix de référence. R1RW0416DSB-2LR#B0 paramètres, R1RW0416DSB-2LR#B0 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le R1RW0416DSB-2LR#B0 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver R1RW0416DSB-2LR#B0 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, R1RW0416DSB-2LR#B0 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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