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R1RW0416DSB-2PI#B0
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R1RW0416DSB-2PI#B0 Spécifications techniques
IC SRAM IBIS ASYNC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 12ns |
Technology | SRAM |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Mb (256K x 16) |
Memory Format | SRAM |
Detailed Description | SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 3 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 44-TSOP II |
Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 12ns |
R1RW0416DSB-2PI#B0 Documents
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Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'R1RW0'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
R1RW0408DGE-2PI | RENESAS | Circuits intégrés spécialisés | 861 |
R1RW0408DGE-2PR#B00G | Renesas Electronics America | Circuits intégrés spécialisés | 214 |
R1RW0416DGE-2LR | Renesas Electronics America | Circuits intégrés spécialisés | 193 |
R1RW0416DGE-2PR B00G | MITSUBISHI | Circuits intégrés spécialisés | 2577 |
R1RW0416DSB-2LR | RENESA | Circuits intégrés spécialisés | 1484 |
R1RW0416DSB-2LR IC | RENESA | Circuits intégrés spécialisés | 768 |
R1RW0416DSB-2LR#B0 | Renesas Electronics America | Mémoire | 2642 |
R1RW0416DSB-2LR#D1 | Renesas Electronics America | Mémoire | 0 |
R1RW0416DSB-2PI#D0 | Renesas Electronics America | Mémoire | 2720 |
R1RW0416DSB-2PI#D1 | Renesas Electronics America | Mémoire | 2682 |
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