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TH58NVG3S0HBAI4
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TH58NVG3S0HBAI4 Spécifications techniques
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Toshiba Memory America, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
Technology | FLASH - NAND (SLC) |
Package / Case | 63-VFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Size | 8Gb (1G x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 63-TFBGA (9x11) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 63-TFBGA (9x11) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | - |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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TH58NVG2S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 901 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | Mémoire | 24154 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | Mémoire | 3267 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | Mémoire | 1297 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | Mémoire | 3030 |
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