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DF2S8.2FS,L3M
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DF2S8.2FS,L3M Spécifications techniques
TVS DIODE 6.5VWM SOD923
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Protection de circuit / Diodes TVS |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 6.5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 7.7V |
Type | Zener |
Power Line Protection | No |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Current - Peak Pulse (10/1000µs) | - |
Applications | General Purpose |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Unidirectional Channels | 1 |
Supplier Device Package | SOD-923 |
Power - Peak Pulse | - |
Package / Case | SOD-923 |
Mounting Type | Surface Mount |
Capacitance @ Frequency | 20pF @ 1MHz |
DF2S8.2FS,L3M Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
DF2S8.2ASL,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Diodes TVS | 2546 |
DF2S8.2CT | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 10256 |
DF2S8.2CT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Diodes TVS | 2500 |
DF2S8.2FS | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 16748 |
DF2S8.2FS(L3SONY,E) | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 6095 |
DF2S8.2FS,L3M(T | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 475 |
DF2S8.2FSL3M | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 5067 |
DF2S8.2S | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 20371 |
DF2S8.2S ESD | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 10225 |
DF2S8.2SC | TOSHIBA | Circuits intégrés spécialisés | 50411 |
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