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TK14E65W5,S1X Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.7A (Ta)
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TK14E65W5,S1X fabricants de marques: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip action, TK14E65W5,S1X prix de référence. TK14E65W5,S1X paramètres, TK14E65W5,S1X Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le TK14E65W5,S1X Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver TK14E65W5,S1X schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, TK14E65W5,S1X tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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