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TPH3208PD Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Transphorm |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | TO-220 |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
FET Feature | - |
Detailed Description | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
TPH3208PD Documents
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Feuilles de données
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---|---|---|---|
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