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TPH3212PS Spécifications techniques
GAN FET 650V 27A TO220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Transphorm |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 400uA |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 17A, 8V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 400V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±18V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
TPH3212PS Documents
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---|---|---|---|
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