TPH3212PS Spécifications techniques

GAN FET 650V 27A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Transphorm
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 400uA
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 17A, 8V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±18V
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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