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IRFBE30L Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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IRFBE30L fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, IRFBE30L prix de référence. IRFBE30L paramètres, IRFBE30L Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRFBE30L Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRFBE30L schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRFBE30L tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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