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IRFD110 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 600mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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IRFD110 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, IRFD110 prix de référence. IRFD110 paramètres, IRFD110 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRFD110 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRFD110 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRFD110 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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