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IRFD113PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 800mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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IRFD113PBF fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, IRFD113PBF prix de référence. IRFD113PBF paramètres, IRFD113PBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRFD113PBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRFD113PBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRFD113PBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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