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IRFD120 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
IRFD120 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRFD110 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6574 |
IRFD110 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 379 |
IRFD110PBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2378 |
IRFD110PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5720 |
IRFD110PBF | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
IRFD110PBF IC | IR | Circuits intégrés spécialisés | 630 |
IRFD110PBF MOS | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 15733 |
IRFD113 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2513 |
IRFD113 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2736 |
IRFD113PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2760 |
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IDT
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JRC
NJW1166L JRC
7A
Original
520
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MOT
MOT TO-220
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