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SI3459BDV-T1-GE3
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SI3459BDV-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SI3459BDV-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI3459BDV-T1-GE3 prix de référence. SI3459BDV-T1-GE3 paramètres, SI3459BDV-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI3459BDV-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI3459BDV-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI3459BDV-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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