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NSVMUN5212DW1T1G Spécifications techniques

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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NSVMUN5212DW1T1G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NSVMUN5212DW1T1G prix de référence. NSVMUN5212DW1T1G paramètres, NSVMUN5212DW1T1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NSVMUN5212DW1T1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NSVMUN5212DW1T1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NSVMUN5212DW1T1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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