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IRLD110 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 600mA, 5V
Packaging Tube
Other Names *IRLD110
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Detailed Description N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
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IRLD110 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, IRLD110 prix de référence. IRLD110 paramètres, IRLD110 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRLD110 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRLD110 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRLD110 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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