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IRLD110PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 600mA, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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IRLD110PBF fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, IRLD110PBF prix de référence. IRLD110PBF paramètres, IRLD110PBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRLD110PBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRLD110PBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRLD110PBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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