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IRLD120 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 780mA, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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IRLD120 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, IRLD120 prix de référence. IRLD120 paramètres, IRLD120 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRLD120 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRLD120 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRLD120 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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