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BSZ16DN25NS3GATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-N5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 62.5W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165m Ω @ 5.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.9A Tc
Rise Time 4ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 10.9A
Max Dual Supply Voltage 250V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 44A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 32μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.165Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 120 mJ
Lead Free Contains Lead
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