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IPL65R165CFDAUMA1
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IPL65R165CFDAUMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 4VSON
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2A (4 Weeks) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165m Ω @ 9.3A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.3A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 21.3A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.165Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 4-PowerTSFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 195W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Max Dual Supply Voltage | 650V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 67A |
Lead Free | Contains Lead |
IPL65R165CFDAUMA1 Documents
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Feuilles de données
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