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SPP08P06PHXKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1999
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 42W Tc
Power Dissipation 42W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 48 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage -60V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SIPMOS®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 16 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300m Ω @ 6.2A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A Tc
Rise Time 46ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 70 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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