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SH8K3TB1 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Power - Max | 2W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8nC @ 5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
SH8K3TB1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SH8K32 | Rohm | Circuits intégrés spécialisés | 10762 |
SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K32TB | R | Circuits intégrés spécialisés | 10433 |
SH8K32TB MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 19291 |
SH8K32TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 4635 |
SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K37GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K39GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
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SH8K3TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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