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SH8K32TB1 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Not For New Designs |
Max Power Dissipation | 2W |
Power Dissipation | 2W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65m Ω @ 4.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2009 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Base Part Number | *K32 |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
Continuous Drain Current (ID) | 4.5A |
FET Feature | Logic Level Gate |
SH8K32TB1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K32TB | R | Circuits intégrés spécialisés | 10433 |
SH8K32TB MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 19291 |
SH8K32TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 4635 |
SH8K37GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K39GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K3TB | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 16484 |
SH8K3TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 89868 |
SH8K3TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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