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SH8K39GZETB Spécifications techniques
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 200μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Ta |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Part Status | Active |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power - Max | 1.4W Ta |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21m Ω @ 8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
SH8K39GZETB Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SH8K32 | Rohm | Circuits intégrés spécialisés | 10762 |
SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K32TB | R | Circuits intégrés spécialisés | 10433 |
SH8K32TB MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 19291 |
SH8K32TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 4635 |
SH8K32TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K37GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
SH8K3TB | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 16484 |
SH8K3TB1 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 89868 |
SH8K3TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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