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NGTB25N120SWG
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NGTB25N120SWG Spécifications techniques
NGTB25N120SWG datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2014 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 385W |
Max Collector Current | 50A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
Gate Charge | 178nC |
Td (on/off) @ 25°C | 87ns/179ns |
Height | 21.4mm |
Width | 5.3mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 385W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Input Type | Standard |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.4V |
Reverse Recovery Time | 154 ns |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 25A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
Switching Energy | 1.95mJ (on), 600μJ (off) |
Length | 16.25mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NGTB25N120SWG Documents
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Feuilles de données
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