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NSVBC124EDXV6T1G
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NSVBC124EDXV6T1G Spécifications techniques
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Power - Max | 500mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 22k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Pin Count | 6 |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSVBC124EDXV6T1G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVBC114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 8344 |
NSVBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 4000 |
NSVBC114EPDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4268 |
NSVBC114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2543 |
NSVBC114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114YPDXV65G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2692 |
NSVBC114YPDXV65G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBC114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2747 |
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