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NSVMUN5213DW1T3G
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NSVMUN5213DW1T3G Spécifications techniques
TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 250mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 250mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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